SQJA72EP-T1_BE3
מספר מוצר של יצרן:

SQJA72EP-T1_BE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SQJA72EP-T1_BE3-DG

תיאור:

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 37A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

מלאי:

13000380
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SQJA72EP-T1_BE3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
37A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
19mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1390 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
55W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
742-SQJA72EP-T1_BE3CT
742-SQJA72EP-T1_BE3DKR
742-SQJA72EP-T1_BE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
SQJA72EP-T1_GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
2990
DiGi מספר חלק
SQJA72EP-T1_GE3-DG
מחיר ליחידה
0.52
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
goford-semiconductor

G2012

MOSFET N-CH 20V 12A DFN2*2-6L

vishay-siliconix

SIHD14N60ET1-GE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

IRFR9210PBF-BE3

P-CHANNEL 200V

goford-semiconductor

G10N03S

MOSFET N-CH 30V 10A SOP-8