מספר מוצר של יצרן:
SQJ411EP-T1_GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQJ411EP-T1_GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
תיאור מפורט:
P-Channel 12 V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
1696 יחידות חדשות מק originales במלאי
12916377
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQJ411EP-T1_GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
12 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
60A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.8mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
150 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9100 pF @ 6 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
68W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SQJ411
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SQJ411EP-T1_GE3DKR
SQJ411EP-T1_GE3TR
SQJ411EP-T1_GE3CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIE848DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
SIHF23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A TO220
SQJ858EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
