מספר מוצר של יצרן:
SQJ208EP-T1_GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQJ208EP-T1_GE3-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
תיאור מפורט:
Mosfet Array 40V 20A (Tc), 60A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
מלאי:
12919443
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQJ208EP-T1_GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9.4mOhm @ 6A, 10V, 3.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.3V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33nC @ 10V, 75nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1700pF @ 25V, 3900pF @ 25V
הספק - מקס'
27W (Tc), 48W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8 Dual
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
מספר מוצר בסיסי
SQJ208
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SQJ208EP-T1_GE3CT
SQJ208EP-T1_GE3TR
SQJ208EP-T1_GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI5905DC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
SI5513DC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
SI4830ADY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
