SQJ174EP-T1_GE3
מספר מוצר של יצרן:

SQJ174EP-T1_GE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SQJ174EP-T1_GE3-DG

תיאור:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 293A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

מלאי:

14945 יחידות חדשות מק originales במלאי
12993137
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SQJ174EP-T1_GE3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
293A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
81 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6111 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
742-SQJ174EP-T1_GE3CT
742-SQJ174EP-T1_GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SIHB5N80AE-GE3

E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-

panjit

PJA138K_R1_00001

SOT-23, MOSFET