מספר מוצר של יצרן:
SQD50P08-28_GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQD50P08-28_GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
תיאור מפורט:
P-Channel 80 V 48A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
7214 יחידות חדשות מק originales במלאי
12915939
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQD50P08-28_GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
48A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
28mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
145 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6035 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
136W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
SQD50
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SQD50P08-28_GE3DKR
SQD50P08-28_GE3TR
SQD50P08-28_GE3-DG
SQD50P08-28_GE3CT
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQD50P03-07_GE3
MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
SUP80090E-GE3
MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB
SI7137DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8