מספר מוצר של יצרן:
SQD10N30-330H_GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQD10N30-330H_GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
תיאור מפורט:
N-Channel 300 V 10A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
2613 יחידות חדשות מק originales במלאי
12920637
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQD10N30-330H_GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
300 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
330mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
47 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2190 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
107W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
SQD10
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SQD10N30-330H_GE3CT
SQD10N30-330H_GE3-DG
SQD10N30-330H_GE3TR
SQD10N30-330H_GE3DKR
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SUV85N10-10-E3
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
SIHF9540PBF
MOSFET P-CH 100V TO-220AB
SIHP8N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
