SQA470CEJW-T1_GE3
מספר מוצר של יצרן:

SQA470CEJW-T1_GE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SQA470CEJW-T1_GE3-DG

תיאור:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 2.25A (Tc) 13.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

מלאי:

5328 יחידות חדשות מק originales במלאי
12992788
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SQA470CEJW-T1_GE3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.25A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
65mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
440 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
13.6W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SC-70-6
חבילה / מארז
PowerPAK® SC-70-6

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
742-SQA470CEJW-T1_GE3CT
742-SQA470CEJW-T1_GE3DKR
742-SQA470CEJW-T1_GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

ISC058N04NM5ATMA1

40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8

toshiba-semiconductor-and-storage

TK5R3E08QM,S1X

UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM

rohm-semi

R6511END3TL1

650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER

comchip-technology

2N7002W-HF

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323