מספר מוצר של יצרן:
SQ4425EY-T1_GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQ4425EY-T1_GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 18A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
35561 יחידות חדשות מק originales במלאי
12919437
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQ4425EY-T1_GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
50 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3630 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
6.8W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
SQ4425
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SQ4425EY-T1_GE3DKR
SQ4425EY-T1_GE3CT
SQ4425EY-T1_GE3TR
SQ4425EY-T1_GE3-DG
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQM50P06-15L_GE3
MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
SUM40N10-30-E3
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
SUM70101EL-GE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
