מספר מוצר של יצרן:
SQ4064EY-T1_GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQ4064EY-T1_GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
9796 יחידות חדשות מק originales במלאי
12920206
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQ4064EY-T1_GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
43 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2096 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
6.8W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
SQ4064
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SQ4064EY-T1_GE3-DG
SQ4064EY-T1_GE3CT
SQ4064EY-T1_GE3TR
SQ4064EY-T1_GE3DKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI7790DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
SIHG32N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC
SIE726DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
