מספר מוצר של יצרן:
SIZ728DT-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIZ728DT-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 25V 16A 6PWRPAIR
תיאור מפורט:
Mosfet Array 25V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™
מלאי:
12916967
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIZ728DT-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Half Bridge)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A, 35A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.7mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
26nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
890pF @ 12.5V
הספק - מקס'
27W, 48W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-PowerPair™
חבילת מכשירים לספקים
6-PowerPair™
מספר מוצר בסיסי
SIZ728
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIZ728DT-T1-GE3CT
SIZ728DT-T1-GE3TR
SIZ728DTT1GE3
SIZ728DT-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI7222DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
SI5904DC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
SI1024X-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89
