מספר מוצר של יצרן:
SISS71DN-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SISS71DN-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
תיאור מפורט:
P-Channel 100 V 23A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
מלאי:
12916642
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SISS71DN-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
ThunderFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
23A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
59mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1050 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
57W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8S
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8S
מספר מוצר בסיסי
SISS71
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SISS71DN-T1-GE3CT
SISS71DN-T1-GE3TR
SISS71DN-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQJA72EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
SI4100DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
SIHP23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A TO220AB