מספר מוצר של יצרן:
SISH108DN-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SISH108DN-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 14A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
מלאי:
5983 יחידות חדשות מק originales במלאי
12787554
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SISH108DN-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET® Gen II
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
14A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.9mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±16V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8SH
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8SH
מספר מוצר בסיסי
SISH108
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SISH108DN-T1-GE3TR
SISH108DN-T1-GE3CT
SISH108DN-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SUM36N20-54P-E3
MOSFET N-CH 200V 36A TO263
SUD50P10-43L-E3
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
SQM200N04-1M8_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
