מספר מוצר של יצרן:
SISA34DN-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SISA34DN-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 20.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
מלאי:
15 יחידות חדשות מק originales במלאי
12786306
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SISA34DN-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
TrenchFET® Gen IV
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
40A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
12 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
+20V, -16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1100 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
20.8W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8
מספר מוצר בסיסי
SISA34
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SISA34DN-T1-GE3CT
SISA34DN-T1-GE3TR
SISA34DN-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHW30N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AD
SISS65DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
V30408-T1-GE3
MOSFET N-CH SMD
