SIS472ADN-T1-GE3
מספר מוצר של יצרן:

SIS472ADN-T1-GE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SIS472ADN-T1-GE3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 24A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

מלאי:

12787424
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SIS472ADN-T1-GE3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
24A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
44 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1515 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
28W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8
מספר מוצר בסיסי
SIS472

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
RQ1E070RPTR
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
7064
DiGi מספר חלק
RQ1E070RPTR-DG
מחיר ליחידה
0.41
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RQ3E120GNTB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
11286
DiGi מספר חלק
RQ3E120GNTB-DG
מחיר ליחידה
0.14
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RQ1E075XNTCR
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
26907
DiGi מספר חלק
RQ1E075XNTCR-DG
מחיר ליחידה
0.25
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SQJ443EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SUM90N06-5M5P-E3

MOSFET N-CH 60V 90A TO263

vishay-siliconix

SIR798DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIS780DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8