מספר מוצר של יצרן:
SIS468DN-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIS468DN-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
מלאי:
12785978
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIS468DN-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
19.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
28 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
780 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8
מספר מוצר בסיסי
SIS468
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SIS468DN-T1-GE3TR
SIS468DN-T1-GE3DKR
SIS468DN-T1-GE3CT
SIS468DNT1GE3
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDMC86324
יצרן
onsemi
כמות זמינה
4642
DiGi מספר חלק
FDMC86324-DG
מחיר ליחידה
0.56
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RQ7E110AJTCR
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
1294
DiGi מספר חלק
RQ7E110AJTCR-DG
מחיר ליחידה
0.33
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RQ3L050GNTB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
14048
DiGi מספר חלק
RQ3L050GNTB-DG
מחיר ליחידה
0.24
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHA180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO220
SQJ457EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
SIHB23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
