מספר מוצר של יצרן:
SIRS4401DP-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIRS4401DP-T1-GE3-DG
תיאור:
P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
תיאור מפורט:
P-Channel 40 V 46.8A (Ta), 198A (Tc) 7.4W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
10980 יחידות חדשות מק originales במלאי
12998803
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIRS4401DP-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
46.8A (Ta), 198A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
588 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
21850 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
7.4W (Ta), 132W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SIRS4401
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SIRS4401DP-T1-GE3DKR
742-SIRS4401DP-T1-GE3TR
742-SIRS4401DP-T1-GE3CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TSM180N03CS
30V, 9A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSM4436CS
60V, 8A, SINGLE N-CHANNEL POWER
SISS5112DN-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW