מספר מוצר של יצרן:
SIRA74DP-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIRA74DP-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 24A (Ta), 81.2A (Tc) 4.1W (Ta), 46.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
16380 יחידות חדשות מק originales במלאי
12977922
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIRA74DP-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET® Gen IV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
24A (Ta), 81.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
41 nC @ 10 V
VGS (מקס')
+20V, -16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2000 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SIRA74
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SIRA74DP-T1-GE3DKR
742-SIRA74DP-T1-GE3TR
742-SIRA74DP-T1-GE3CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPBE65R050CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7
SL3407-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23-3L
DMTH61M8LPS-13
MOSFET N-CH 60V 225A PWRDI
