מספר מוצר של יצרן:
SIR880BDP-T1-RE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIR880BDP-T1-RE3-DG
תיאור:
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 18.6A (Ta), 70.6A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
1096 יחידות חדשות מק originales במלאי
12958851
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIR880BDP-T1-RE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET® Gen IV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18.6A (Ta), 70.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
66 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2930 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
5W (Ta), 71.4W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SIR880BDP-T1-RE3CT
742-SIR880BDP-T1-RE3DKR
742-SIR880BDP-T1-RE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDMS86300
יצרן
onsemi
כמות זמינה
1497
DiGi מספר חלק
FDMS86300-DG
מחיר ליחידה
0.93
סוג משאב
Similar
מספר חלק
RS6N120BHTB1
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
1763
DiGi מספר חלק
RS6N120BHTB1-DG
מחיר ליחידה
1.14
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPTG014N10NM5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8
MCU40P04-TP
MOSFET P-CH
MCU50N06-TP
MOSFET N-CH
