מספר מוצר של יצרן:
SIR626DP-T1-RE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIR626DP-T1-RE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
2365 יחידות חדשות מק originales במלאי
12920028
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIR626DP-T1-RE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET® Gen IV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
78 nC @ 7.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5130 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
104W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SIR626
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIR626DP-T1-RE3DKR
SIR626DP-T1-RE3TR
SIR626DP-T1-RE3CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RS3L045GNGZETB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
1173
DiGi מספר חלק
RS3L045GNGZETB-DG
מחיר ליחידה
0.25
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
DMTH6002LPS-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
14787
DiGi מספר חלק
DMTH6002LPS-13-DG
מחיר ליחידה
0.66
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RS1L145GNTB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
1003
DiGi מספר חלק
RS1L145GNTB-DG
מחיר ליחידה
0.81
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SISH625DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK
SIHF28N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A TO220
SI7623DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
