מספר מוצר של יצרן:
SIR412DP-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIR412DP-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 20A (Tc) 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
12919019
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIR412DP-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
600 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SIR412
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIR412DPT1GE3
SIR412DP-T1-GE3CT
SIR412DP-T1-GE3DKR
SIR412DP-T1-GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
CSD16412Q5A
יצרן
Texas Instruments
כמות זמינה
4364
DiGi מספר חלק
CSD16412Q5A-DG
מחיר ליחידה
0.28
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SIRA18ADP-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
2543
DiGi מספר חלק
SIRA18ADP-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.11
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4842BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
SIHB6N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
SI6433BDQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 4A 8TSSOP
