מספר מוצר של יצרן:
SIR108DP-T1-RE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIR108DP-T1-RE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 12.4A (Ta), 45A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
12786282
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIR108DP-T1-RE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET® Gen IV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12.4A (Ta), 45A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
13.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.6V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
41.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2060 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SIR108
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIR108DP-T1-RE3TR
SIR108DP-T1-RE3CT
SIR108DP-RE3
SIR108DP-T1-RE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RS3L045GNGZETB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
1173
DiGi מספר חלק
RS3L045GNGZETB-DG
מחיר ליחידה
0.25
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FDMS86101A
יצרן
onsemi
כמות זמינה
344
DiGi מספר חלק
FDMS86101A-DG
מחיר ליחידה
1.34
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RS1L145GNTB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
1003
DiGi מספר חלק
RS1L145GNTB-DG
מחיר ליחידה
0.81
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQD50N04-09H-GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
SUD50N02-09P-GE3
MOSFET N-CH 20V 20A TO252
SUD45P03-09-GE3
MOSFET P-CH 30V 45A TO252
