מספר מוצר של יצרן:
SIJ128LDP-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIJ128LDP-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 10.2A (Ta), 25.5A (Tc) 3.6W (Ta), 22.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
11989 יחידות חדשות מק originales במלאי
12966839
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIJ128LDP-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10.2A (Ta), 25.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
15.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1250 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.6W (Ta), 22.3W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SIJ128
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SIJ128LDP-T1-GE3TR
742-SIJ128LDP-T1-GE3CT
742-SIJ128LDP-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
JANTXV2N6768
MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE
IPD088N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
IPD048N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3