מספר מוצר של יצרן:
SIHW73N60E-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHW73N60E-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AD
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 73A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AD
מלאי:
12917384
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHW73N60E-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
73A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
39mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
362 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7700 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
520W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AD
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
SIHW73
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
480
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTH80N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXTH80N65X2-DG
מחיר ליחידה
8.12
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHG33N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
SI3447CDV-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
SIHW21N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AD