מספר מוצר של יצרן:
SIHW47N60E-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHW47N60E-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247AD
מלאי:
106 יחידות חדשות מק originales במלאי
12787585
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHW47N60E-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
47A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
64mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
220 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9620 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
357W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AD
חבילה / מארז
TO-3P-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
SIHW47
מידע נוסף
שמות אחרים
2266-SIHW47N60E-GE3
SIHW47N60E-GE3CT-DG
SIHW47N60E-GE3CT
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHB33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
SIHG47N60AEF-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
SIHP180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB