מספר מוצר של יצרן:
SIHP6N80AE-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHP6N80AE-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 5A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
961 יחידות חדשות מק originales במלאי
12987336
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHP6N80AE-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
E
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
950mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
22.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
422 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
62.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SIHP6
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SIHP6N80AE-GE3
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
GT035N06T
MOSFET N-CH 60V 170A TO-220
DMN3069L-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
NP88N04NUG-S18-AY
NP88N04NUG-S18-AY - MOS FIELD EF
