מספר מוצר של יצרן:
SIHP6N65E-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHP6N65E-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12919205
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHP6N65E-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
48 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
820 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
78W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SIHP6
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SPA11N80C3XKSA2
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
206
DiGi מספר חלק
SPA11N80C3XKSA2-DG
מחיר ליחידה
1.26
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SUP70101EL-GE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB
SQM60030E_GE3
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
SIS862ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
