SIHP4N80E-BE3

מספר מוצר של יצרן:

SIHP4N80E-BE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SIHP4N80E-BE3-DG

תיאור:

N-CHANNEL 600V

תיאור מפורט:

N-Channel 800 V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-220AB

מלאי:

1000 יחידות חדשות מק originales במלאי

12977858

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

SIHP4N80E-BE3 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

E

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

800 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

4.3A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

1.27Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

32 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±30V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

622 pF @ 100 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

69W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-220AB

חבילה / מארז

TO-220-3

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

742-SIHP4N80E-BE3TR

742-SIHP4N80E-BE3CT

חבילה סטנדרטית

1,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

SQJ868EP-T1_BE3

N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

IRFR9120PBF-BE3

P-CHANNEL 100V

vishay-siliconix

SIDR668DP-T1-RE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SI6415DQ-T1-BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET