מספר מוצר של יצרן:
SIHP28N65EF-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHP28N65EF-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 28A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12786576
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHP28N65EF-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
28A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
117mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
146 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3249 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SIHP28
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FCP099N60E
יצרן
onsemi
כמות זמינה
390
DiGi מספר חלק
FCP099N60E-DG
מחיר ליחידה
2.76
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPP60R099CPXKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1235
DiGi מספר חלק
IPP60R099CPXKSA1-DG
מחיר ליחידה
4.08
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
TK25E60X,S1X
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
13
DiGi מספר חלק
TK25E60X,S1X-DG
מחיר ליחידה
1.80
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP40N65M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
37
DiGi מספר חלק
STP40N65M2-DG
מחיר ליחידה
2.57
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SUM110P06-07L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
SIHP25N60EFL-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
SIDR622DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK
