SIHP25N50E-GE3
מספר מוצר של יצרן:

SIHP25N50E-GE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SIHP25N50E-GE3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 26A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB

מלאי:

908 יחידות חדשות מק originales במלאי
12786201
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SIHP25N50E-GE3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
26A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
86 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1980 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SIHP25

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
2266-SIHP25N50E-GE3
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SIHP30N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB

vishay-siliconix

SQS415ENW-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W

vishay-siliconix

SQ2301ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236

vishay-siliconix

SIHP30N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB