מספר מוצר של יצרן:
SIHP18N50C-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHP18N50C-E3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 18A (Tc) 223W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
695 יחידות חדשות מק originales במלאי
12787692
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHP18N50C-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
270mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
76 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2942 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
223W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SIHP18
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIHP18N50CE3
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIR470DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
SQD40020EL_GE3
MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
SQ2318AES-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
