מספר מוצר של יצרן:
SIHP16N50C-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHP16N50C-E3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 16A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
963 יחידות חדשות מק originales במלאי
12786625
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHP16N50C-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
380mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
68 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1900 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SIHP16
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SIHP16N50C-E3DKRINACTIVE
SIHP16N50C-E3TR-DG
SIHP16N50C-E3TRINACTIVE
SIHP16N50C-E3CT-DG
SIHP16N50C-E3DKR-DG
SIHP16N50C-E3TR
SIHP16N50C-E3CT
SIHP16N50C-E3DKR
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SISA72ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
SIA461DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
SIHB22N60ET5-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
