מספר מוצר של יצרן:
SIHP11N80AE-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHP11N80AE-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
592 יחידות חדשות מק originales במלאי
13141896
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHP11N80AE-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
E
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
42 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
804 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
78W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SIHP11
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SIHP11N80AE-GE3CT
742-SIHP11N80AE-GE3TR
742-SIHP11N80AE-GE3CT-ND
742-SIHP11N80AE-GE3TR-ND
742-SIHP11N80AE-GE3
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIDR668ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
SQJQ144AE-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8
SIHP24N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 21A TO220AB
