SIHP10N40D-GE3
מספר מוצר של יצרן:

SIHP10N40D-GE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SIHP10N40D-GE3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 400 V 10A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220AB

מלאי:

372 יחידות חדשות מק originales במלאי
12966365
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SIHP10N40D-GE3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
400 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
600mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
526 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
147W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SIHP10

דף נתונים ומסמכים

שרטוטי מוצרים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SIUD401ED-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806

toshiba-semiconductor-and-storage

TK380A65Y,S4X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

vishay-siliconix

SQD40081EL_GE3

MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA

vishay-siliconix

SIHB33N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK