מספר מוצר של יצרן:
SIHG080N60E-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHG080N60E-GE3-DG
תיאור:
E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
מלאי:
304 יחידות חדשות מק originales במלאי
12950358
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHG080N60E-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
E
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
35A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
80mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
63 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2557 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
227W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AC
חבילה / מארז
TO-247-3
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SIHG080N60E-GE3
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHH080N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
SIS176LDN-T1-GE3
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
SIR510DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
