מספר מוצר של יצרן:
SIHFU9220-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHFU9220-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA
תיאור מפורט:
P-Channel 200 V 3.6A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
מלאי:
2978 יחידות חדשות מק originales במלאי
13277355
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHFU9220-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-251AA
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
SIHFU9220
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SIHFU9220-GE3
742-SIHFU9220-GE3TR
742-SIHFU9220-GE3TR-ND
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQJ460AEP-T2_GE3
MOSFET N-CH 60V 58A PPAK SO-8
SQD40N10-25-T4_GE3
MOSFET N-CH 100V 40A TO252AA
SIHFR9310-GE3
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK