מספר מוצר של יצרן:
SIHF9Z34STRL-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHF9Z34STRL-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CHANNEL 60V
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
732 יחידות חדשות מק originales במלאי
12977863
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHF9Z34STRL-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
140mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
34 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1100 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.7W (Ta), 88W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SIHF9Z34STRL-GE3TR
742-SIHF9Z34STRL-GE3CT
742-SIHF9Z34STRL-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRF9Z34STRRPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
398
DiGi מספר חלק
IRF9Z34STRRPBF-DG
מחיר ליחידה
1.20
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
IRF9Z34STRLPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
5359
DiGi מספר חלק
IRF9Z34STRLPBF-DG
מחיר ליחידה
0.79
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHD11N80AE-T1-GE3
N-CHANNEL 800V
SQJ481EP-T1_BE3
P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
SQJA76EP-T1_BE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
