מספר מוצר של יצרן:
SIHF22N65E-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHF22N65E-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 22A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
מלאי:
12918789
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHF22N65E-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
22A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
110 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2415 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
35W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220 Full Pack
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
SIHF22
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIHF22N65E-GE3CT-DG
SIHF22N65E-GE3CT
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STF28N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
423
DiGi מספר חלק
STF28N60M2-DG
מחיר ליחידה
1.44
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STF20N65M5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
303
DiGi מספר חלק
STF20N65M5-DG
מחיר ליחידה
1.35
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
TSM60NB190CI C0G
יצרן
Taiwan Semiconductor Corporation
כמות זמינה
731
DiGi מספר חלק
TSM60NB190CI C0G-DG
מחיר ליחידה
2.49
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STF28N65M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
2182
DiGi מספר חלק
STF28N65M2-DG
מחיר ליחידה
1.52
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIR846DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
SIHFR320-GE3
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
SI8451DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 10.8A 6MICROFOOT
