מספר מוצר של יצרן:
SIHD6N62E-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHD6N62E-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
12786966
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHD6N62E-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
900mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
34 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
578 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
78W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
SIHD6
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIHD6N62E-GE3TR
SIHD6N62E-GE3DKRINACTIVE
SIHD6N62E-GE3DKR
SIHD6N62E-GE3TRINACTIVE
SIHD6N62E-GE3DKR-DG
SIHD6N62E-GE3TR-DG
SIHD6N62E-GE3CT
SIHD6N62E-GE3CT-DG
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD9NM60N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
2500
DiGi מספר חלק
STD9NM60N-DG
מחיר ליחידה
0.98
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STD9N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1200
DiGi מספר חלק
STD9N60M2-DG
מחיר ליחידה
0.43
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STD7NM60N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
12347
DiGi מספר חלק
STD7NM60N-DG
מחיר ליחידה
0.85
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIR610DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
SIR164DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
SIHF7N60E-GE3
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220
