מספר מוצר של יצרן:
SIHD5N80AE-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHD5N80AE-GE3-DG
תיאור:
E SERIES POWER MOSFET DPAK (TO-2
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 4.4A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
3523 יחידות חדשות מק originales במלאי
12949193
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHD5N80AE-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
E
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
321 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
62.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SIHD5N80AE-GE3
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHS90N65E-GE3
E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
SIHP17N80AEF-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
DMP6180SK3-13
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
