מספר מוצר של יצרן:
SIHD3N50D-BE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHD3N50D-BE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
12971143
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHD3N50D-BE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
D
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
12 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
175 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
69W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
SIHD3
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SIHD3N50D-BE3
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PJQ4444P-AU_R2_000A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
AO3487
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
PJW5N10A_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
