מספר מוצר של יצרן:
SIHA14N60E-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHA14N60E-GE3-DG
תיאור:
N-CHANNEL 600V
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
מלאי:
1696 יחידות חדשות מק originales במלאי
12987232
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHA14N60E-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
E
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
309mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
64 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1205 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
147W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220 Full Pack
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SIHA14N60E-GE3CT-DG
742-SIHA14N60E-GE3DKRINACTIVE
742-SIHA14N60E-GE3TR
742-SIHA14N60E-GE3CTINACTIVE
742-SIHA14N60E-GE3TR-DG
742-SIHA14N60E-GE3CT
742-SIHA14N60E-GE3
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PJQ1916_R1_00201
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
DMT64M1LPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMN3066L-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
