מספר מוצר של יצרן:
SIHA12N50E-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHA12N50E-E3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 10.5A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
מלאי:
1000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12918274
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHA12N50E-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
50 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
886 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
32W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220 Full Pack
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
SIHA12
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SIHA12N50E-E3
SIHA12N50E-E3-DG
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI2337DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
SI4404DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
SQP10250E_GE3
MOSFET N-CH 250V 53A TO220AB
