מספר מוצר של יצרן:
SIE832DF-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIE832DF-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 50A 10POLARPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S)
מלאי:
12919053
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIE832DF-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
77 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3800 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
10-PolarPAK® (S)
חבילה / מארז
10-PolarPAK® (S)
מספר מוצר בסיסי
SIE832
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIE832DF-T1-GE3TR
SIE832DF-T1-GE3DKR
SIE832DFT1GE3
SIE832DF-T1-GE3CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI6433BDQ-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4A 8TSSOP
SIHW47N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 47A TO247AD
SI4838BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 34A 8SO