מספר מוצר של יצרן:
SIE802DF-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIE802DF-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
מלאי:
12916933
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIE802DF-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Last Time Buy
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
60A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.9mOhm @ 23.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.7V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
160 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7000 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
10-PolarPAK® (L)
חבילה / מארז
10-PolarPAK® (L)
מספר מוצר בסיסי
SIE802
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIR846ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
SI7404DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
SQ7414CENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W