SIDR402DP-T1-RE3

מספר מוצר של יצרן:

SIDR402DP-T1-RE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SIDR402DP-T1-RE3-DG

תיאור:

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

תיאור מפורט:

N-Channel 40 V 64.6A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC

מלאי:

14282 יחידות חדשות מק originales במלאי

12977779

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

SIDR402DP-T1-RE3 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

TrenchFET® Gen IV

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

40 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

64.6A (Ta), 100A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

0.88mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

165 nC @ 10 V

VGS (מקס')

+20V, -16V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

9100 pF @ 20 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

PowerPAK® SO-8DC

חבילה / מארז

PowerPAK® SO-8

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

742-SIDR402DP-T1-RE3CT

742-SIDR402DP-T1-RE3TR

742-SIDR402DP-T1-RE3DKR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

Vendor Undefined

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

SIDR140DP-T1-RE3

N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

IRFR220PBF-BE3

N-CHANNEL 200V

vishay-siliconix

SIHA6N65E-GE3

N-CHANNEL 650V

vishay-siliconix

SIHB24N65EFT1-GE3

N-CHANNEL 650V