מספר מוצר של יצרן:
SIDR220EP-T1-RE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIDR220EP-T1-RE3-DG
תיאור:
N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 92.8A (Ta), 415A (Tc) 6.25W (Ta), 415W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
מלאי:
5988 יחידות חדשות מק originales במלאי
12993533
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIDR220EP-T1-RE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET® Gen IV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
92.8A (Ta), 415A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
0.58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
200 nC @ 10 V
VGS (מקס')
+16V, -12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
10850 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
6.25W (Ta), 415W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8DC
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SIDR220EP-T1-RE3TR
742-SIDR220EP-T1-RE3DKR
742-SIDR220EP-T1-RE3CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ISC036N04NM5ATMA1
40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
MCU15N10B-TP
Interface
STB30N65DM6AG
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
