מספר מוצר של יצרן:
SIB457EDK-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIB457EDK-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
מלאי:
7532 יחידות חדשות מק originales במלאי
12965805
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIB457EDK-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
44 nC @ 8 V
VGS (מקס')
±8V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SC-75-6
חבילה / מארז
PowerPAK® SC-75-6
מספר מוצר בסיסי
SIB457
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIB457EDK-T1-GE3-DG
SIB457EDK-T1-GE3TR
SIB457EDK-T1-GE3DKR
SIB457EDK-T1-GE3CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHA11N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 12A TO220
SQJA04EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
SQ3426AEEV-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
