מספר מוצר של יצרן:
SIA483DJ-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIA483DJ-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
מלאי:
88414 יחידות חדשות מק originales במלאי
12961148
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIA483DJ-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
21mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1550 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SC-70-6
חבילה / מארז
PowerPAK® SC-70-6
מספר מוצר בסיסי
SIA483
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SIA483DJ-T1-GE3TR
SIA483DJT1GE3
SIA483DJ-T1-GE3CT
SIA483DJ-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFSL11N50APBF
MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
SIRA00DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
SIA485DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
