מספר מוצר של יצרן:
SIA445EDJT-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIA445EDJT-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
מלאי:
2300 יחידות חדשות מק originales במלאי
12920080
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIA445EDJT-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
69 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2180 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
19W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SC-70-6 Single
חבילה / מארז
PowerPAK® SC-70-6
מספר מוצר בסיסי
SIA445
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SIA445EDJT-T1-GE3DKR
SIA445EDJT-T1-GE3TR
SIA445EDJT-T1-GE3-DG
SIA445EDJT-T1-GE3CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI7431DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
SIJA72ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK
SIR408DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
