מספר מוצר של יצרן:
SIA419DJ-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIA419DJ-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
מלאי:
12915758
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIA419DJ-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
30mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
850mV @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
29 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1500 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SC-70-6
חבילה / מארז
PowerPAK® SC-70-6
מספר מוצר בסיסי
SIA419
מידע נוסף
שמות אחרים
SIA419DJT1GE3
SIA419DJ-T1-GE3TR
SIA419DJ-T1-GE3CT
SIA419DJ-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4840DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
SI3424BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
SI4486EY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO
